LLevamos ya mucho tiempo hablando de los nanotubos de carbono, un tipo de material que se postula como una de las grandes alternativas al silicio que actualmente es clave en la fabricación de transistores. Muchos tratan de avanzar en la creación de transistores basados en estos nanotubos, pero había obstáculos importantes.
Uno de ellos eran las impurezas que aparecían al producir estos nanotubos: dichas impurezas podrían interferir con la capacidad semiconductora de este material y hacer que su aplicación no tuviera demasiado sentido. Ahora un grupo de investigadores de la Universidad de Wisconsin ha desarrollado un sistema para eliminar esa "contaminación", y el resultado es notable.
Un logro singular para la nanotecnología
Gracias a ese sistema lograron crear un transistor con una densidad de carga 1,9 veces superior a las de los tradicionales transistores de silicio. Michael Arnold, uno de los responsables del estudio, indicaba que este logro supone un avance muy importante en el campo de la nanotecnología.
"Hacer transistores con nanotubos de carbono que son mejores que los transistores de silicio es un gran logro", explicaba Arnold. Para este experto su aplicación a todo tipo de tecnologías en las que los semiconductores están implicados puede ser muy importante.
Hasta la fecha los nanotubos habían ido mostrando sus prometedoras propiedades en diversas aplicaciones -este resistente material es un ejemplo de ello- pero su promesa como sustituto de los transistores actuales es la más relevante: esto permitiría dar algo más de vida a la Ley de Moore y dar esperanzas para lograr chips aún más densos en número de transistores, eficientes y potentes en el futuro.
Vía | CSMonitor
Más información | Science Advances
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