Los procesos de fabricación en semiconductores siguen avanzando a velocidades espectaculares. A pesar de que los límites físicos están haciendo difícil reducir aún más las escalas litografías usadas desde hace años, gigantes como TSMC están ya preparando los próximos saltos.
Los 7 nm que usan ahora la mayoría de grandes empresas de semiconductores en todo el mundo han sido toda una revolución, pero este fabricante quiere ir más allá. Como ya vimos hace unos días TSMC ya está trabajando en procesos litográficos de 3 nm, pero hay ya planes para ir más allá y lograr chips de 2 nm.
Una cuenta atrás muy especial
Es cierto que hoy en día hablar de nanómetros en escalas litográficas es algo engañoso: los 10 nm de Intel no son los 10 nm de otros fabricantes, por ejemplo, porque en cada transistor se utilizan distintos parámetros y distintas medidas en nanos para hablar de cada uno de ellos.
Aún así el avance de estos procesos es espectacular, y lo demuestra el dato que recientemente compartieron los responsables de TSMC con sus inversores. En esa conferencia indicaron que el proceso de fabricación de 2 nm ya estaba en desarrollo, algo que plantea el salto a esta tecnología en pocos años.
La empresa también indicó que su proceso litográfico de 3 nanómetros también está avanzado, y esperan tenerlo listo en 2022. Con esta tecnología serán capaces de integrar 290 millones de transistores en un mm2, una cifra asombrosa. En TSMC mantendrán la tecnología FinFET a través de una variación llamada GAAFET (gate-all-around field-effect transistor), aunque los analistas apuntan a que será difícil lograrlo.
La tecnología de 7 nm está actualmente muy extendida, pero en TSMC no se están durmiendo precisamente en los laureles. Su nodo de 5 nm es el próximo paso, utilizará litografía EUV y estará listo para producciones masivas en este segundo trimestre de 2020.
Samsung tampoco se queda corta en esta batalla, y desde hace un año tiene lista su tecnología de 5 nm. A este combate, por tanto, le quedan aún algunos rounds.
Vía | Tom's Hardware